技术的差距到底在哪里？

利用德温特手工代码，分析比亚迪与英飞凌、日立、电装、富士、三菱电机5家头部公司的IGBT专利技术布局，可以看出，其他5家公司的专利布局更全面；二是MOS栅双极管、双极管和二极管、双极晶体管制造、衬底上沉积金属氧化物等无机材料、双极晶体管、栅电极是6家公司共同关注的技术领域。

值得注意的是，英飞凌在沉积金属氧化物和栅电极领域的专利数量已经超越制造，说明英飞凌在栅极加工工艺布局较多，且在5家中最为领先。

另外，比亚迪在绝缘栅场效应管（MOSFET）领域的研发布局目前相对较弱，MOSFET管属于小功率半导体，无法在高压大电流下工作，这与比亚迪重点研发车规级IGBT芯片战略吻合。

◆敲黑板 划重点

从2005年组建团队算起，比亚迪做芯片做了15年，目前在国内车用IGBT领域获得了一定的话语权，初步形成了涉及材料、散热、制程工艺、电路保护、电控系统等在内的专利布局体系。

但是，与英飞凌、富士电机、三菱电机等领先IGBT巨头比，比亚迪还有很长的路要走，研发的深度广度上仍需进一步提升。