而国际上，2018年IGBT芯片已经进入了“微沟槽栅+场截止”的第7代技术，三菱电机、富士电机、英飞凌都有产品推出。比亚迪的技术迭代还处于跟随、追赶的状态。

◆比亚迪重点研发了些啥？

我们用了两种方法来看比亚迪IGBT的重点发力区。

第一种是简单直白的专利标引德温特手工代码排序。

德温特手工代码排序显示，除了关键的MOS栅双极管以外，无机材料沉积（金属氧化物）、栅电极、电极和互连层的加工、半导体热处理（退火等）、散热（包括芯片及模组散热等）、硅基材料、电动车电控系统等，也是比亚迪IGBT专利布局较为集中的技术领域。

第二种方法是专利文本挖掘。

借助于incoPat专利数据平台，我们将比亚迪IGBT专利数据进行文本聚类，绘制了一份技术研发重点专利地形图，图中深色等高线部分表示比亚迪专利技术研发密集区。