比亚迪半导体产品总监杨钦耀近日表示，比亚迪车规级的IGBT已经走到5代，碳化硅mosfet已经走到3代，第4代已在开发当中。目前正在规划自建SiC产线，预计2021年建成。此外，2023年比亚迪SiC将全面替代IGBT，以提高整车续航里程10%左右。

第三代半导体材料SiC，图片来源：比亚迪半导体

在全球贸易环境动荡，汽车市场未来迷雾重重，以及竞争对手凶狠彪悍的当下，比亚迪半导体产品的市场化运营成为其不得不做出的选择。打开自产自销局面，走出舒适圈，面向更多的应用市场以及竞争对手，充分利用独立上市后的资金环境，或许蛇吞象实现超车，也不是没有可能。